华海清科申请化学机械抛光方法等专利，提高确定待抛光晶圆抛光时间准确率

2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，华海清科股份有限公司申请一项名为“化学机械抛光方法、装置、设备和存储介质”的专利，公开号 CN 119115787 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种化学机械抛光方法、装置、设备和存储介质，该方法包括：获取晶圆抛光系统当前的抛光系统参数；通过抛光时间确定模型，确定待抛光晶圆的抛光时间；确定抛光后晶圆的抛光厚度差值若抛光后晶圆的抛光厚度差值大于预设厚度差值阈值，根据抛光后晶圆的抛光数据对抛光时间确定模型进行更新，确定下一个待抛光晶圆的第一抛光时间；以及根据抛光后晶圆的抛光厚度差值和抛光时间，确定下一个待抛光晶圆的第二抛光时间；根据第一抛光时间和所述第二抛光时间的差异，确定下一个所述待抛光晶圆的抛光时间。本申请可以分别确定每个待抛光晶圆的抛光时间，进而提高了确定待抛光晶圆抛光时间的准确率。