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2024年8月28日消息,天眼查知识产权信息显示,浙江奥首材料科技有限公司申请一项名为“一种应用于超薄单晶硅片抛光制程的水性抛光蜡及其制备方法“,公开号CN202

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浙江奥首材料科技申请一种应用于超薄单晶硅片抛光制程的水性抛光蜡及其制备方法专利,保证硅片在抛光作业中不会出现滑片问题

发表时间:2024-08-28

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2024年8月28日消息,天眼查知识产权信息显示,浙江奥首材料科技有限公司申请一项名为“一种应用于超薄单晶硅片抛光制程的水性抛光蜡及其制备方法“,公开号CN202410602304.9,申请日期为2024年5月。
专利摘要显示,本发明涉及一种应用于超薄单晶硅片抛光制程的水性抛光蜡及其制备方法。所述的水性抛光蜡按照重量份计算,包括如下组分:去离子水 40‑60 份;亲水性溶剂 10‑20 份;水性增强剂 1‑5 份;水性粘结剂 1‑10 份;分散剂 1‑5 份;pH 调节剂 1‑10 份;流平剂 0.1‑5 份;本发明水性增强剂与水性粘结剂复合兼具无机纳米增强剂的机械强度和水性粘结剂的高粘度,保证硅片在抛光作业中不会出现滑片问题。阴离子聚合分散剂与氟碳改性流平剂能够保证水性增强剂分布均匀。本发明的水性抛光蜡受加工温度的影响较小,不易出现受热变形的问题,且主要溶剂是水,减少了挥发性有机物的排放。

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